В областта на модерната керамика силициевият карбид се откроява като материал с изключителни механични, термични и химични свойства. Сред различните производствени техники за базирани на SiC компоненти, реакционно свързаният силициев карбид се очертава като рентабилно и високоефективно решение за индустрии, изискващи леки, издръжливи и термично стабилни структури.

Реакционно свързаният силициев карбид се произвежда чрез процес, който комбинира инфилтрация на силиций (Si) с пореста въглеродна заготовка. По време на синтероване при високи температури (обикновено 1400–1600°C), стопеният силиций реагира с въглерода, за да образува вторична фаза от силициев карбид. Полученият композитен материал се състои от първично реакционно свързани продукти от силициев карбид, зърна, свързани чрез матрица от силиций/силициев карбид. Този метод позволява производство с почти чиста форма с минимално свиване на размерите, което го прави идеален за сложни геометрии.

Въведение на Реакционно свързани продукти от силициев карбид:

Реакционно свързаните продукти от силициев карбид имат добра устойчивост на износване и устойчивост на термичен удар, както и силна устойчивост на корозия, висока топлопроводимост и други отлични свойства. Продуктите от реакционно свързан силициев карбид се използват широко в космическата промишленост, производството на машини, нефтохимическата промишленост, топенето на метали и електронната промишленост, особено за производство на устойчиви на износване части и структурни части при висока температура. Реакционно синтерованата керамика от силициев карбид е една от най-ранните структурни керамики, достигнали индустриално производство. 

През последните години продуктите от реакционно свързан силициев карбид с висока плътност на синтероване и висока якост на огъване бяха частично произведени с помощта на силициев карбид, което значително подобри механичните свойства на материала.

Реакционно свързаният силициев карбид представлява сближаване на производителност, издръжливост и ефективност на разходите, което го прави крайъгълен камък за инженерство от следващо поколение. От фабрики за полупроводници до марсоходи, структурните компоненти на РБ-SiC позволяват технологични пробиви, като същевременно отговарят на глобалното търсене на енергийно ефективни и устойчиви решения. С развитието на производствените техники РБ-SiC несъмнено ще затвърди ролята си на критичен фактор за иновациите на 21-ви век.

За нас

През годините ние се ангажирахме с научноизследователска и развойна дейност и иновации. Разчитайки на водещата технология за производство на SiC и опита на звездна светлина, ръководени от таланти от най-високо ниво от добре известни университети и институти, добавени голям брой изключителни завършили колеж, са въведени, за да формират екип за научноизследователска и развойна дейност от световна класа, в края на 2021 г. беше създаден новият Институт за технологични изследвания в индустрията на SiC. Посветена на изследването и развитието на висококачествени SiC суровини с висока чистота и SiC продукти с висока чистота, за дългосрочното развитие на компанията да постави здрава основа.