Като един от представителните материали за широкозонови полупроводници, силициевият карбид (SiC) ускори навлизането си в повече полета през изминалата 2024 г. Стимулирана от намаляване на разходите и подобряване на ефективността, глобалната индустрия за силициев карбид поддържа вълна от "капиталово увеличение и експанзияd" през 2024. Свързани компании в индустриалната верига се състезаваха да правят нови ходове, активно разширяваха производството капацитет и насърчи процеса на индустриализация на силициевия карбид, за да продължи напред.

На този фон през 2025 г. производството на силициев карбид официално ще навлезе в критичния етап на преобразуване на 8-инчов капацитет; в същото време компаниите ще бъдат изправени пред по-голям конкурентен натиск и нови предизвикателства в процеса на посрещане на ускореното прилагане на индустриализацията.

Големите производители залагат на дддххх голям размериддххх

Компаниите за силициев карбид се насочват към 8-инчови пластини и субстрати.

За да завладеят по-голям пазарен дял в електрическите превозни средства, индустрията, енергетиката и други области, международни производители като STMicroelectronics и ВКЛ полупроводник инвестираха сериозно в изграждането на нови 8-инчови фабрики за разширяване на производствения капацитет на силициев карбид.

През май 2024 г. STMicroelectronics обяви, че ще изгради широкомащабна интегрирана база за производство и опаковане и тестване на 8-инчови захранващи устройства и модули от силициев карбид в Катания, Италия, която е и първата в света вертикално интегрирана фабрика за силициев карбид с пълен процес . Общата инвестиция на проекта се очаква да бъде 5 милиарда евро и се очаква той да бъде пуснат в експлоатация през 2026 г. и да достигне пълен производствен капацитет до 2033 г. С този проект STMicroelectronics ще реализира амбицията си за пълно вертикално интегриране на производството на силициев карбид- завършване на производството на захранващи устройства от силициев карбид от изследване и разработка на чипове до производство, от пластинови субстрати до модули в един парк, което позволява процеса на електрификация и високоефективна трансформация на автомобилни и индустриални клиенти.

През юни същата година ВКЛ полупроводник обяви, че ще инвестира 2 милиарда долара за изграждане на вертикално интегриран завод за производство на силициев карбид в Чешката република, за да разшири капацитета си за производство на силициев карбид. През декември ВКЛ полупроводник обяви, че е постигнал споразумение с Qorvo за придобиване на технологичния бизнес за силициево-карбидни транзистори с полеви ефекти (SiC JFET) и дъщерното дружество на Qorvo Юнайтед Силиций Карбид за 115 милиона долара в брой. ВКЛ полупроводник каза, че този ход ще ускори подготовката на ВКЛ полупроводник за развиващите се пазари, като прекъсвачи на батерията на електрически превозни средства и полупроводникови прекъсвачи.

През август Infineon официално стартира първата фаза на завода за вафли Кулин SiC, който ще помогне на Infineon да постигне целта си да заеме 30% от световния пазарен дял на SiC до 2030 г.

Освен това наскоро беше съобщено, че германският доставчик на автомобилни части Bosch е постигнал предварително споразумение с Министерството на търговията на САЩ и планира да инвестира 1,9 милиарда долара за трансформиране на производствената база в Роузвил в Калифорния във фабрика за полупроводници за производство на 8-инчови SiC чипове.

Въпреки че Япония все още заема централна позиция в областта на силовите полупроводници, тя също е изправена пред предизвикателства, породени от промените на пазара и индустрията през последните години. Поради тази причина "anxious" японските производители на силови полупроводници увеличиха инвестициите и разшириха производството през 2024 г., за да укрепят своята верига за доставки на SiC.

През юли 2024 г. японската Rohm полупроводник, чрез своето дъщерно дружество Лапис полупроводник, постигна основно споразумение със Слънчева Границата за придобиване на активите на нейния завод Кунитоми и трансформиране на завода в завод за производство на 8-инчови SiC пластини. През септември същата година Сумитомо Метал и нейното изцяло притежавано дъщерно дружество Сикокс Копарация обявиха, че ще построят нова 8-инчова SiCkrest (технология за производство на субстрат с директно свързване, разработена от Сикокс) масова производствена линия в завода на Сикокс в Окучи. Друга японска компания, Фуджи Електрически, обяви, че ще инвестира 200 милиарда йени в производство на силови полупроводници от силициев карбид през фискалната 2024-2026 г., включително производствен капацитет за 8-инчов SiC в нейния завод в Мацумото в Япония, който се очаква да започне производство през 2027 г.

Струва си да се отбележи, че моята страна също наваксва в производството на 8-инчови вафли. През април 2024 г. 8-инчовата инженерна пластина от силициев карбид на Синлян Интегриран беше успешно пусната в производство, превръщайки се в първата фабрика за пластини в Китай, която стартира производство на 8-инчови пластини от силициев карбид и планира да започне масово производство през 2025 г.

Инсайдери в индустрията посочиха, че преминаването от 6-инчов към 8-инчов силициев карбид е неизбежна тенденция и 8-инчовото масово производство ще помогне на продуктите от силициев карбид да преминат към широкомащабно приложение.

Капацитетът за производство на субстрат от силициев карбид дддххх значително подобренd"

От гледна точка на индустриалната верига, основното предизвикателство пред силициевия карбид по време на надграждане и превключване на скоростите е в края на субстрата. Поради високите технически и финансови бариери на субстратите от силициев карбид, производственият капацитет на субстрата влияе върху темпа на развитие на индустрията за силициев карбид. През последните години производството на субстрати от силициев карбид в моята страна се разви бързо и се превърна във важна глобална производствена база.

През 2024 г. компаниите, свързани със субстрати от силициев карбид, активно внедриха разширяване на капацитета и повече проекти навлязоха в етап на изпълнение или постигнаха напредък.